Research areaキーテクノロジーと研究開発課題

獲得を目指すキーテクノロジー

  • SiCパワー半導体信頼性向上のための設計技術

    SiCパワーMOSFETの本格的普及と低コスト化を阻害している結晶欠陥および酸化膜/SiC界面欠陥の挙動を学理的に解明し、その知見を基に欠陥低減と劣化抑制の設計指針を提示することを目指します。

  • ワイドギャップ半導体を用いた超高感度センサ技術

    新奇の超高感度磁気センサの基礎となるワイドギャップ半導体中の特異な点欠陥を制御し、その光励起・検出効率を向上すると共に、結晶の高品質化・大型化技術の基盤を確立します。

  • 高効率・大電力変換を可能とするパワーモジュール・受動素子技術

    大電力信号を高速スイッチングできる低インダクタンスモジュール、リアクトルやコンデンサ等の受動部品の材料・素子開発を行って高密度電力変換システムの基盤を確立します。

  • パワー集積回路・パワープロセッシング技術と次世代システム応用

    次世代パワー半導体の高速スイッチング特性を活かして、従来のパワーエレクトロニクスの延長上にはない電力演算(パワープロセッシング)技術の確立を目指します。

  • 電力パケット化・ルーティング技術

    電力フローのアナログ技術をデジタル技術化することで電力フローを情報系と統合し、従来にない高度な電力ネットワークの基盤を確立します。

  • SiCの極限環境下での利用技術

    放射線や高温酸化環境下で適用可能な耐環境SiC複合材料基盤技術の確立と、材料設計のための耐熱温度と強度のデザインウィンドウを構築します。